STMicroelectronics VNB35NV04TR-E
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VNB35NV04TR-E
2381-VNB35NV04TR-E
PMIC - 配电开关,负载驱动器
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK
--最小包装量--
VNB35NV04TR-E详情
STMicroelectronics VNB35NV04TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Turn Off Delay Time
120 μs
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
13mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
125W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
基本部件号
VNB35
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
30A
工作电源电压
18V
界面
On/Off
元素配置
Single
电源电流
100μA
输出配置
低侧
功率耗散
125W
输出电流
30A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
最大电源电流
100μA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
12 μs
开关类型
通用型
上升时间
2.5μs
漏源电压 (Vdss)
70V
下降时间(典型值)
1.5 μs
连续放电电流(ID)
80A
比率-输入:输出
1:1
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
漏源击穿电压
70V
Rds On(Typ)
13m Ω (Max)
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
VNB35NV04TR-E拓展信息
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