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首页 集成电路（IC） PMIC - 配电开关，负载驱动器 VNP49N04-E
VNP49N04-E
VNP49N04-E

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STMicroelectronics VNP49N04-E

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型号

VNP49N04-E

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-VNP49N04-E

商品类别

PMIC - 配电开关，负载驱动器

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

起订量

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VNP49N04-E
VNP49N04-E STMicroelectronics IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

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VNP49N04-E详情

技术参数

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STMicroelectronics VNP49N04-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • 系列

    OMNIFET™, VIPower™

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    20mOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    125W

  • 基本部件号

    VNP49N

  • 输出的数量

    1

  • 输出类型

    N-Channel

  • 最大输出电流

    49A

  • 界面

    On/Off

  • 输出配置

    低侧

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    125W

  • 输出电流

    49A

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

    不需要

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 开关类型

    通用型

  • 漏源电压 (Vdss)

    42V

  • 连续放电电流(ID)

    49A

  • 阈值电压

    800mV

  • 比率-输入：输出

    1:1

  • 电压-负荷

    35V Max

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    68A

  • 故障保护

    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage

  • 漏源击穿电压

    42V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Rds On(Typ)

    20m Ω (Max)

  • 漏源电阻

    20mOhm

  • 特征

    状态标志

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

    无

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    无铅

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VNP49N04-E拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

VND14NV04TR-E

型号：VND14NV04TR-E

封装：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

品牌：STMicroelectronics

库存：314766

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VN5160STR-E

型号：VN5160STR-E

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品牌：STMicroelectronics

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封装：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

品牌：STMicroelectronics

库存：0

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封装：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

品牌：STMicroelectronics

库存：7500

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VND5160JTR-E

型号：VND5160JTR-E

封装：12-PowerLSOP (0.154, 3.90mm Width)

品牌：STMicroelectronics

库存：5000

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