STMicroelectronics VNS1NV04DP-E

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Turn Off Delay Time

350 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

OMNIFET II™, VIPower™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

250mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

4W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

VNS1N

引脚数量

8

输出的数量

2

输出电压

45V

输出类型

N-Channel

最大输出电流

3.5A

界面

On/Off

电源电流

100μA

输出配置

低侧

功率耗散

4W

输出电流

3.5A

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

输入类型

Non-Inverting

接通延迟时间

70 ns

开关类型

通用型

每个通道的输出电流

1.7A

漏源电压 (Vdss)

45V

连续放电电流(ID)

1.7A

阈值电压

500mV

比率-输入：输出

1:1

电压-负荷

36V Max

故障保护

Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage

Rds On(Typ)

250m Ω (Max)

漏源电阻

250mOhm

通态电阻

250mOhm

高度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant