Taiwan Semiconductor DBL102G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

2512 (6432 Metric)

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

2512

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

RNCF2512D

厂商

Stackpole Electronics Inc

Product Status

活跃

Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

R-PDIP-T4

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DBL102G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.1 V

Risk Rank

5.33

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

RNCF

包装

DBL

尺寸/尺寸

0.248 L x 0.122 W (6.30mm x 3.10mm)

容差

±0.5%

JESD-609代码

e3

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±25ppm/°C

电阻

6.98 kOhms

端子表面处理

PURE TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

附加功能

UL 认证

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

IR - 2uA

子类别

桥式整流二极管

技术

Standard

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDIP-T4

资历状况

不合格

失败率

-

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

电压

VRRM - 100V

二极管类型

单相

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 100 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 1 A

最大反向漏电电流

2 µA

最大浪涌电流

50 A

输出电流-最大值

1 A

平均整流电流（Io）

1 A

正向电压

1.1 V

相位的数量

1

最大重复反向电压(Vrrm)

100 V

Rep Pk反向电压-最大值

100 V

最大非代表Pk前进电流

40 A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

40 A

电压 - 峰值反向（最大值）

100 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

击穿电压-最小值

100 V

特征

Automotive AEC-Q200

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

宽度

6.5 mm

高度

2.6 mm

长度

8.51 mm

评级结果

AEC-Q200