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技术文档
型号
KBU1007G
品牌
Taiwan Semiconductor
utmel 编号
2436-KBU1007G
商品类别
二极管 - 桥式整流器
封装
KBU-4
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Diode Rectifier Bridge Quad 1000V 10A 4-Pin KBU Tray
起订量
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KBU1007G详情
技术参数
Taiwan Semiconductor KBU1007G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
包装/外壳
底架
通孔
安装类型
表面安装
NO
引脚数
4
供应商器件包装
KBU
二极管元件材料
SILICON
终端数量
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Unit Weight
0.317466 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
500
Brand
台湾半导体
RoHS
Details
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Package
Tray
Base Product Number
KBU1007
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Product Status
活跃
Package Description
R-PSFM-W4
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1.1 V
Risk Rank
5.71
包装
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
端子表面处理
PURE TIN
最高工作温度
最小工作温度
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
IR - 5uA
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
Standard
端子位置
SINGLE
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
电压
VRRM - 1000V
元素配置
Single
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
5 µA @ 1000 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 10 A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
10 A
最大反向漏电电流
5 µA
最大浪涌电流
200 A
输出电流-最大值
平均整流电流(Io)
正向电压
产品类别
桥式整流器
相位的数量
峰值反向电流
最大重复反向电压(Vrrm)
1 kV
Rep Pk反向电压-最大值
1000 V
最大非代表Pk前进电流
最大正向浪涌电流(Ifsm)
电压 - 峰值反向(最大值)
最大结点温度(Tj)
击穿电压-最小值
宽度
7.1 mm
高度
19.3 mm
长度
23.7 mm
KBU1007G拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:TS25P01G C2G
封装:4-SIP, TS-6P
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation
库存:0
型号:DBL153G
封装:1212 (3030 Metric)
品牌:Taiwan Semiconductor
型号:TS8P03GH
型号:TS15P06G-K C7
封装:--
型号:GBPC3508
封装:GBPC-4
型号:GBU405-K
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