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Taiwan Semiconductor TSM60NC196CI C0G

Name: TSM60NC196CI C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 2436-TSM60NC196CI C0G
Price: 32.42 USD
Availability: InStock
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对比

型号

TSM60NC196CI C0G

品牌

Taiwan Semiconductor

utmel 编号

2436-TSM60NC196CI C0G

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 600V 20A 3-Pin ITO-220 Tube

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TSM60NC196CI C0G Taiwan Semiconductor Transistor MOSFET N-Channel 600V 20A 3-Pin ITO-220 Tube

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TSM60NC196CI C0G详情

技术参数

Taiwan Semiconductor TSM60NC196CI C0G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商器件包装

ITO-220
Package

Tube
Base Product Number

TSM60
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Taiwan Semiconductor Corporation
Power Dissipation (Max)

70W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

196mOhm @ 9.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1535 pF @ 300 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

600 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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