Taiwan Semiconductor TSM60NC196CI C0G

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供应商器件包装

ITO-220

Package

Tube

Base Product Number

TSM60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Power Dissipation (Max)

70W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

196mOhm @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1535 pF @ 300 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-