Taiwan Semiconductor Corporation TSM9933DCS RLG

工厂交货时间

28 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 4.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

640pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant