Texas Instruments LF356N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

8

操作温度

0°C~70°C

包装

Tube

系列

BI-FET™

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

包装方式

RAIL

最大功率耗散

670mW

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

15V

端子间距

2.54mm

基本部件号

LF356

引脚数量

8

工作电源电压

15V

通道数量

1

工作电源电流

5mA

电源电流

5mA

功率耗散

670mW

输出电流

25mA

最大电源电流

10mA

压摆率

12V/μs

建筑学

VOLTAGE-FEEDBACK

放大器类型

J-FET

共模拒绝率

80 dB

输入偏正电流

30pA

电压 - 电源，单/双路（±）

±15V

输入失调电压(Vos)

10mV

负电源电压(Vsup)

-15V

统一增益 BW-（标准值）

5000 kHz

电压增益

106.02dB

平均偏置电流-最大值 (IIB)

0.0002μA

电源抑制比

80dB

低偏移

NO

频率补偿

YES

电压 - 输入断态

3mV

低偏压

YES

最大偏置电流 (IIB) @25C

0.0002μA

输入失调电流-最大值(IIO)

0.002μA

高度

3.3mm

长度

9.27mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅