LMD18400N/NOPB
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Texas Instruments LMD18400N/NOPB

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型号

LMD18400N/NOPB

utmel 编号

2502-LMD18400N/NOPB

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

20-DIP (0.300, 7.62mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20DIP

起订量

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LMD18400N/NOPB Texas Instruments IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20DIP

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LMD18400N/NOPB详情

Texas Instruments LMD18400N/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    20-DIP (0.300, 7.62mm)

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    20

  • 质量

    4.535924g

  • Driver Configuration

    High-Side

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 2V

  • 操作温度

    -25°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    20

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最大功率耗散

    5W

  • 电压 - 供电

    7V~28V

  • 端子位置

    DUAL

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    12V

  • 端子间距

    1.7mm

  • 基本部件号

    LMD18400

  • 引脚数量

    20

  • 输出的数量

    4

  • 输出电压

    5.5V

  • 工作电源电压

    12V

  • 电源电流

    15mA

  • 输出电流

    3.75A

  • 静态电流

    15mA

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升时间

    7μs

  • 下降时间(典型值)

    150 ns

  • 接口IC类型

    基于缓冲器或反相器的外设驱动器

  • 驱动程序位数

    4

  • 信道型

    Independent

  • 接通时间

    10 µs

  • 输出峰值电流限制-名

    3.75A

  • 闸门类型

    N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    3A 3A

  • 漏源电阻

    800mOhm

  • 关断时间

    2 µs

  • 内置保护器

    OVER VOLTAGE; THERMAL; TRANSIENT

  • 宽度

    6.604mm

  • 高度

    5.08mm

  • 长度

    26.073mm

  • 器件厚度

    3.302mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Texas Instruments & LMD18400N/NOPB相似的参数规格。

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