Texas Instruments NDB606AL

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Drain Current-Max (ID)

48 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

400 ns

Turn-on Time-Max (ton)

530 ns

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

144 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

400 pF

环境耗散-最大值

100 W