Texas Instruments NDS355AN

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Drain Current-Max (ID)

0.0016 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

环境耗散-最大值

0.5 W

饱和电流

1