Texas Instruments SN65LVDT100DR

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

75.891673mg

Interface Standards

EIA-644-A; TIA-644-A

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

类型

Buffer, ReDriver

最大功率耗散

481mW

电压 - 供电

3V~3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3.3V

基本部件号

65LVDT100

输出量

LVDS

引脚数量

8

工作电源电压

3.3V

工作电源电流

30mA

功率耗散

481mW

输出电流

12μA

传播延迟

800 ps

接通延迟时间

800 ps

最大输出电压

454mV

逻辑功能

Translator

输入

CML, LVDS, LVPECL

驱动程序位数

1

最大输入电流

33μA

接收器位数

1

数据率（最大）

2Gbps

电源电压1-额定值

3.3V

延迟时间

470ps

电容-输入

0.6pF

高度

1.75mm

长度

4.9mm

宽度

3.91mm

器件厚度

1.58mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅