Texas Instruments TPS2812DR
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TPS2812DR
2502-TPS2812DR
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
--最小包装量--
TPS2812DR详情
Texas Instruments TPS2812DR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
75.891673mg
Driver Configuration
Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
1V 4V
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~125°C TA
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
730mW
电压 - 供电
4V~14V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
10V
基本部件号
TPS2812
引脚数量
8
输出的数量
2
最大输出电流
2A
电源
10V
电源电流
200nA
功率耗散
730mW
输出电流
2A
传播延迟
50 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
50 ns
输出特性
TOTEM-POLE
上升时间
35ns
下降时间(典型值)
35 ns
输出极性
TRUE
输入特性
触发器
上升/下降时间(Typ)
14ns 15ns
接口IC类型
基于NAND门的MOSFET驱动器
信道型
Synchronous
接通时间
0.05 µs
输出峰值电流限制-名
2A
闸门类型
N-Channel, P-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2A 2A
高边驱动器
YES
关断时间
0.05 µs
宽度
3.91mm
长度
4.9mm
高度
1.75mm
器件厚度
1.58mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
TPS2812DR拓展信息
Texas Instruments
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