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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.59357
10
¥14.710913
100
¥13.878219
500
¥13.09266
1000
¥12.351565
Texas Instruments TPS28226DRBR
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- 对比
TPS28226DRBR
2502-TPS28226DRBR
PMIC - 栅极驱动器
8-VDFN Exposed Pad
大陆
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IC SINK SYNC MOSFET DVR 2A 8SON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TPS28226DRBR详情
Texas Instruments TPS28226DRBR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
质量
24.012046mg
Driver Configuration
Half-Bridge
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
2.58W
电压 - 供电
6.8V~8.8V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
7.2V
端子间距
0.65mm
频率
2MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
TPS28226
引脚数量
8
输出的数量
2
资历状况
不合格
最大输出电流
4A
工作电源电压
7.2V
元素配置
Single
功率耗散
2.58W
输出电流
6A
输入类型
Non-Inverting
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
5 ns
上升/下降时间(Typ)
10ns 10ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Synchronous
输出峰值电流限制-名
6A
闸门类型
N-Channel MOSFET
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
33V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
3mm
器件厚度
880μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TPS28226DRBR拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments







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