Texas Instruments ULN2003AIDR
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ULN2003AIDR
2502-ULN2003AIDR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Array 16-SOIC -40 to 105
--最小包装量--
ULN2003AIDR详情
Texas Instruments ULN2003AIDR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
16
质量
141.690917mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2V
Number of Elements
7
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
50V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
基本部件号
ULN2003
引脚数量
16
极性
NPN
配置
COMPLEX
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
500mA
最大集极截止电流
50μA
JEDEC-95代码
MS-012AC
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
驱动器数量
7
最大结点温度(Tj)
125°C
环境温度范围高
105°C
高度
1.75mm
长度
9.9mm
宽度
3.91mm
器件厚度
1.58mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ULN2003AIDR拓展信息
Texas Instruments
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