XP234N08013R-G
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Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R-G

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型号

XP234N08013R-G

utmel 编号

2539-XP234N08013R-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

起订量

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XP234N08013R-G Torex Semiconductor Ltd MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

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XP234N08013R-G详情

Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 供应商器件包装

    SOT-323-3A

  • 厂商

    Torex Semiconductor Ltd

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    800mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    350mW (Ta)

  • Base Product Number

    XP234

  • MSL

    MSL 1 - Unlimited

  • Qualification

    -

  • Continuous Drain Current Id

    800mA

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    30 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    11 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    900 mV

  • Pd - Power Dissipation

    350 mW

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 20 V, + 20 V

  • Unit Weight

    0.000212 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Manufacturer

    Torex Semiconductor

  • Brand

    Torex Semiconductor

  • Qg - Gate Charge

    1.32 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    290 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Typical Turn-Off Delay Time

    70 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    800 mA

  • 系列

    -

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 包装

    MouseReel

  • 子类别

    MOSFETs

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 功率耗散

    350mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    290mOhm @ 400mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.6V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    64 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.32 nC @ 10 V

  • 上升时间

    8 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    1 N-Channel

  • 信道型

    N通道

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

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