XP151A13A0MR-G
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Torex Semiconductor Ltd XP151A13A0MR-G

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型号

XP151A13A0MR-G

utmel 编号

2539-XP151A13A0MR-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

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XP151A13A0MR-G
XP151A13A0MR-G Torex Semiconductor Ltd Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

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XP151A13A0MR-G详情

Torex Semiconductor Ltd XP151A13A0MR-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4.5V

  • Power Dissipation (Max)

    500mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    75 ns

  • 操作温度

    150°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100m Ω @ 500mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    220pF @ 10V

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    65 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1A

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Torex Semiconductor Ltd & XP151A13A0MR-G相似的参数规格。

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XP151A13A0MR-G拓展信息

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