Toshiba 2SA1162-GR(F)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1.1 x 2.9 x 1.5mm

Package Type

SOT-346 (SC-59)

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

150 mA

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Minimum DC Current Gain

70

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

80 MHz

Manufacturer Part Number

2SA1162-GR(F)

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

Transistor Toshiba 2SA1162-GR(F) PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 3-Pin SC-59

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-236

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

7 pF