Toshiba 2SA1162-GR,LF(T

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2SA1162-GR,LF(T

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

1.43

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

125 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

80 MHz

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SMini

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

50(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 125C

Collector Current (DC)

0.15(A)

Rad Hardened

无

Collector-Emitter Voltage

50(V)

Mounting

表面贴装

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

150 mA

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Minimum DC Current Gain

70

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

频率

80(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率耗散

0.15(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

7 pF

环境耗散-最大值

0.15 W