Toshiba 2SA1162-Y,LF(T

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature Classification

Military

Operating Temp Range

-55C to 125C

Number of Elements

1

Transistor Polarity

PNP

Category

双极小信号

Collector-Emitter Voltage

50(V)

Mounting

表面贴装

Collector Current (DC)

0.15(A)

Emitter-Base Voltage

5(V)

Rad Hardened

无

DC Current Gain

120

Collector-Base Voltage

50(V)

Package Type

SMini

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

80 MHz

Manufacturer Part Number

2SA1162-Y,LF(T

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

1.43

包装

卷带

附加功能

低噪音

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

频率

80(MHz)

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率耗散

0.2(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

120

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

7 pF

环境耗散-最大值

0.15 W