Toshiba 2SA1587GRTE85LF

触点镀层

Silver, Tin

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120 V

hFEMin

200

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Tape & Reel

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

100 mW

频率

100 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

100 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

120 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

120 V

集电极基极电压(VCBO)

-120 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

宽度

1.25 mm

高度

900 µm

长度

2 mm

辐射硬化

无