Toshiba 2SC3326-A(TE85L,F)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

25(V)

Collector Current (DC) (Max)

0.3 A

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SMini

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

50(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 125C

Collector Current (DC)

0.3(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Collector-Emitter Voltage

20(V)

DC Current Gain

350

Mounting

表面贴装

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

20 V

Maximum DC Collector Current

300 mA

Minimum DC Current Gain

200

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

2SC3326-A(TE85L,F)

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Toshiba 2SC3326-A(TE85L,F) NPN Bipolar Transistor, 300 mA, 20 V, 3-Pin SC-59

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

1.66

包装

卷带

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

频率

30(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率耗散

0.15(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

0.1 V

集电极-基极电容-最大值

7 pF

环境耗散-最大值

0.15 W