Toshiba 2SC4116-BL(TE85L,F

包装/外壳

SOT-323-3

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

100 mW

Transistor Polarity

NPN

DC Collector/Base Gain hfe Min

70

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Unit Weight

0.000176 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

80 MHz

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

Maximum DC Collector Current

150 mA

DC Current Gain hFE Max

700

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

80 MHz

Manufacturer Part Number

2SC4116-BL(TE85L,F)

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.63

系列

2SC4116

包装

Reel

附加功能

低噪音

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.1 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

350

连续集电极电流

150 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.25 V

集电极-基极电容-最大值

3.5 pF

环境耗散-最大值

0.1 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT