Toshiba 2SC4738-GR,LF(T

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SSM

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

60(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 125C

Collector Current (DC)

0.15(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

200

Mounting

表面贴装

RoHS

Compliant

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1.6 x 0.8 x 0.7mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

150 mA

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Qualification

-

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

80 MHz

Manufacturer Part Number

2SC4738-GRLF(T

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.65

包装

卷带

最大功率耗散

100 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

频率

80(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率耗散

0.12(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

250 mV

最大集电极电流

150 mA

转换频率

80 MHz

最大击穿电压

50 V

最大耗散功率(Abs)

0.1 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

200

连续集电极电流

150mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.25 V

集电极-基极电容-最大值

3.5 pF

环境耗散-最大值

0.1 W