Toshiba 2SC5353(Q)

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散

2 W

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

2 W

集电极发射器电压(VCEO)

800 V

最大集电极电流

3 A

集电极基极电压(VCBO)

900 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

宽度

4.5 mm

高度

8.1 mm

长度

10 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅