2SD2012(F)详情
Toshiba 2SD2012(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
RoHS
Compliant
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SD2012(F)
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
5.83
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
2 W
Reach合规守则
unknown
配置
Single
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
3 A
集电极基极电压(VCBO)
60 V
最大耗散功率(Abs)
25 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
100
辐射硬化
无
无铅
无铅
2SD2012(F)拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
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