2SD2012(F)
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Toshiba 2SD2012(F)

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型号

2SD2012(F)

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-2SD2012(F)

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220AB

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2SD2012(F) Toshiba TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220AB

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2SD2012(F)详情

Toshiba 2SD2012(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SD2012(F)

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Risk Rank

    5.83

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    其他晶体管

  • 最大功率耗散

    2 W

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    Single

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60 V

  • 最大集电极电流

    3 A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60 V

  • 最大耗散功率(Abs)

    25 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    3 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

2SD2012(F)拓展信息

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