Toshiba 2SK209-GR

表面安装

YES

材料

Si

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Maximum Drain Gate Voltage (V)

-50

Maximum Power Dissipation (mW)

150

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

125

Minimum Drain Saturation Current (mA)

2.6

Automotive

无

Standard Package Name

S-MINI

Supplier Package

S-Mini

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

1.1

Package Length

2.9

Package Width

1.5

PCB changed

3

Lead Shape

Gull-wing

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

2SK209-GR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.24

Part Package Code

SOT-23

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

锡铅

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236

信道型

N

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

RoHS状态

供应商未确认