Toshiba 2SK2611

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

2-16C1B, SC-65, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2SK2611

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.34

Part Package Code

SC-65

Drain Current-Max (ID)

9 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

663 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

环境耗散-最大值

150 W

达到SVHC

unknown