Toshiba 2SK2847

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

2-16F1B, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Drain Current-Max (ID)

8 A

Risk Rank

4.06

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Samacsys Description

MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),

Part Life Cycle Code

Transferred

Number of Elements

1

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

2SK2847

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

无铅代码

无

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

799 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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