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技术文档

Toshiba 2SK2847

Name: 2SK2847
Brand: Toshiba
SKU: 2541-2SK2847
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

2SK2847

品牌

utmel 编号

2541-2SK2847

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 8 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16F1B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2847 Toshiba TRANSISTOR 8 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16F1B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2847详情

技术参数

Toshiba 2SK2847重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
引脚数

3
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

2-16F1B, 3 PIN
Package Style

FLANGE MOUNT
Drain Current-Max (ID)

8 A
Risk Rank

4.06
Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP
Samacsys Description

MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
Part Life Cycle Code

Transferred
Number of Elements

1
Manufacturer

东芝美国电子元器件
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer Part Number

2SK2847
Rohs Code

无
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
无铅代码

无
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

240
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A
DS 击穿电压-最小值

900 V
雪崩能量等级（Eas）

799 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC

unknown

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