Toshiba GT30J324

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.45 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

240 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

430 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

GT30J324

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.2

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH SPEED

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

170 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

功率耗散

170 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

上升时间

70 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

30 A

最大耗散功率(Abs)

170 W

集电极电流-最大值(IC)

30 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无