HN4C06J详情
Toshiba HN4C06J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
5
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Package Style
小概要
Risk Rank
5.51
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
2
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
HN4C06J
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
包装
Tape & Reel
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
300 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PDSO-G5
资历状况
不合格
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
120 V
最大集电极电流
100 mA
集电极基极电压(VCBO)
120 V
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
120 V
VCEsat-最大值
0.3 V
环境耗散-最大值
0.3 W
辐射硬化
无
HN4C06J拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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