MG30G2DL1详情
Toshiba MG30G2DL1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
2-80A1A, 6 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
MG30G2DL1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
5.28
子类别
BIP 通用电源
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PUFM-X6
资历状况
不合格
配置
2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
250 W
集电极电流-最大值(IC)
30 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
450 V
VCEsat-最大值
2 V
最大下降时间 (tf)
2000 ns
MG30G2DL1拓展信息
Toshiba
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