MG30G2DL1
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Toshiba MG30G2DL1

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型号

MG30G2DL1

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-MG30G2DL1

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 30 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80A1A, 6 PIN, BIP General Purpose Power

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MG30G2DL1 Toshiba TRANSISTOR 30 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80A1A, 6 PIN, BIP General Purpose Power

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MG30G2DL1详情

Toshiba MG30G2DL1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    2-80A1A, 6 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    MG30G2DL1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Risk Rank

    5.28

  • 子类别

    BIP 通用电源

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    250 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    30 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 集电极-发射器电压-最大值

    450 V

  • VCEsat-最大值

    2 V

  • 最大下降时间 (tf)

    2000 ns

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MG30G2DL1拓展信息

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