Toshiba RN1102MFV(TPL3)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFEMin

50

RoHS

Compliant

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1.2 x 0.8 x 0.5mm

Typical Resistor Ratio

1

Package Type

VESM

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Input Resistor

10 kΩ

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

最高工作温度

150 °C

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

150 mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

连续集电极电流

100 mA

宽度

800 µm

高度

500 µm

长度

1.2 mm

辐射硬化

无