Toshiba RN1301(TE85L,F)

底架

表面贴装

包装/外壳

SC-70

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

30

RoHS

Compliant

Typical Resistor Ratio

1

Pd - Power Dissipation

100 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Unit Weight

0.000988 oz

Typical Input Resistor

4.7 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Peak DC Collector Current

100 mA

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

DC Current Gain hFE Max

30

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

包装

Digi-Reel®

系列

RN1301

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

100 mW

极性

NPN

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

100 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

250 MHz

最大击穿电压

50 V

连续集电极电流

100 mA

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

长度

2 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅