Toshiba RN1405S,LF

底架

表面贴装

包装/外壳

SC-59

引脚数

59

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

RoHS

Compliant

Pd - Power Dissipation

200 mW

Transistor Polarity

NPN

DC Collector/Base Gain hfe Min

80

Unit Weight

0.000282 oz

Typical Input Resistor

2.2 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

包装

Tape & Reel (TR)

系列

RN1405

子类别

Transistors

最大功率耗散

200 mW

极性

NPN

功率耗散

200 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300 mV

最大集电极电流

100 mA

转换频率

250 MHz

最大击穿电压

50 V

连续集电极电流

100 mA

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased