Toshiba RN2130MFV(TPL3)

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

100

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

- 10 V

Typical Resistor Ratio

1

Pd - Power Dissipation

150 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100

Typical Input Resistor

100 kOhms

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Peak DC Collector Current

100 mA

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

DC Current Gain hFE Max

100

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

- 50 V

包装

Tape & Reel (TR)

系列

RN2130

类型

PNP Epitaxial Silicon Transistor

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

150 mW

极性

PNP

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

150 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

工作温度范围

- 65 C to + 150 C

集电极基极电压(VCBO)

- 50 V

发射极基极电压 (VEBO)

-10 V

连续集电极电流

-100 mA

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度

0.8 mm

高度

0.5 mm

长度

1.2 mm

辐射硬化

无