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1

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10

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100

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500

￥1.103193
1000

￥1.040746

Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF

Name: 1SS190TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-1SS190TE85LF
Price: 1.31 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

1SS190TE85LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-1SS190TE85LF

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

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1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

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1SS190TE85LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

11 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature (Max)

125°C
Operating Temperature (Min)

-55°C
Number of Elements

1
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.10.00.70
最大功率耗散

150mW
元素配置

Single
速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型

Standard
反向泄漏电流@ Vr

500nA @ 80V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 100mA
最大反向漏电电流

500nA
工作温度 - 结点

125°C Max
最大浪涌电流

2A
输出电流-最大值

0.1A
最大反向电压（DC）

80V
平均整流电流

100mA
反向恢复时间

4 ns
电容@Vr, F

4pF @ 0V 1MHz
最大非代表Pk前进电流

2A
恢复时间

1.6 ns
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

1SS190TE85LF拓展信息

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