Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-BL,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Power Dissipation (Max)

150mW

操作温度

125°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

unknown

功率 - 最大

150mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

350 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

最大击穿电压

120V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准