Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

2W

Reach合规守则

unknown

元素配置

Single

增益带宽积

45MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1A 1V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 250mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

连续集电极电流

-10A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅