Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

S-Mini

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

80MHz

Power Dissipation (Max)

150mW

hFEMin

70

操作温度

125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-55°C

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

150mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准