Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-Y,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

120MHz

Power Dissipation (Max)

200mW

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 500mA

转换频率

120MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

800mA

RoHS状态

符合RoHS标准