Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-GR,LF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

80MHz

Power Dissipation (Max)

100mW

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

unknown

功率耗散

100mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最大结点温度（Tj）

125°C

高度

900μm

RoHS状态

符合RoHS标准