Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Power Dissipation (Max)

2W

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率 - 最大

2W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

14 @ 1A 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 640mA, 3.2A

集电极基极电压(VCBO)

1kV

发射极基极电压 (VEBO)

9V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅