Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y(F)

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Current-Collector (Ic) (Max)

5A

hFEMin

120

Power Dissipation (Max)

30W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

12MHz

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1A 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 400mA, 4A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅