Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220NIS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

120mOhm

元素配置

Single

功率耗散

40W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120mOhm @ 7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

输入电容

1.2nF

漏源电阻

120mOhm

最大rds

120 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅