Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220NIS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

系列

U-MOSIII

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.5mOhm @ 18A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5120pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

91nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

35A

输入电容

5.12nF

最大rds

12.5 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅