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Toshiba Semiconductor and Storage CMS04(TE12L,Q,M)

Name: CMS04(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-CMS04(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
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对比

型号

CMS04(TE12L,Q,M)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-CMS04(TE12L,Q,M)

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

SOD-128

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

X35 Pb-F Diode M-Flat Moq=3000 V=30V F=60Hz Rohs Compliant: Yes

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CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage X35 Pb-F Diode M-Flat Moq=3000 V=30V F=60Hz Rohs Compliant: Yes

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CMS04(TE12L,Q,M)详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage CMS04(TE12L,Q,M)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
触点镀层

Silver, Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOD-128
引脚数

2
Operating Temperature (Max)

125°C
Operating Temperature (Min)

-40°C
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
基本部件号

CMS04
元素配置

Single
速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型

Schottky
反向泄漏电流@ Vr

8mA @ 30V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

370mV @ 5A
正向电流

5A
最大反向漏电电流

8mA
工作温度 - 结点

-40°C~125°C
最大浪涌电流

70A
正向电压

370mV
最大反向电压（DC）

30V
平均整流电流

5A
峰值反向电流

8mA
最大重复反向电压(Vrrm)

30V
电容@Vr, F

330pF @ 10V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流

70A
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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CMS04(TE12L,Q,M)拓展信息

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