CMS10(TE12L,Q,M)
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Toshiba Semiconductor and Storage CMS10(TE12L,Q,M)

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型号

CMS10(TE12L,Q,M)

utmel 编号

2541-CMS10(TE12L,Q,M)

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

SOD-128

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MFLAT

起订量

--最小包装量--

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CMS10(TE12L,Q,M)
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage DIODE SCHOTTKY 40V 1A MFLAT

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CMS10(TE12L,Q,M)详情

Toshiba Semiconductor and Storage CMS10(TE12L,Q,M)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOD-128

  • 供应商器件包装

    M-FLAT (2.4x3.8)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 基本部件号

    CMS10

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Schottky

  • 反向泄漏电流@ Vr

    500μA @ 40V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    550mV @ 1A

  • 最大反向漏电电流

    500μA

  • 工作温度 - 结点

    -40°C~150°C

  • 最大浪涌电流

    25A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    40V

  • 平均整流电流(Io)

    1A

  • 最大反向电压(DC)

    40V

  • 平均整流电流

    1A

  • 峰值反向电流

    500μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    40V

  • 电容@Vr, F

    50pF @ 10V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    25A

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & CMS10(TE12L,Q,M)相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Average Rectified Current
    Current - Average Rectified (Io)
    Max Reverse Leakage Current
    Peak Reverse Current
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Diode Type
    查看对比:
  • CMS10(TE12L,Q,M)

    CMS10(TE12L,Q,M)

    Surface Mount

    SOD-128

    1 A

    1A

    500 μA

    500 μA

    1 (Unlimited)

    Schottky

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CMS10(TE12L,Q,M)拓展信息

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